Themenangebote für Bachelor- und Master-Arbeiten
in der AG "Angewandte Halbleiterphysik"

 


Alle hier angebotenen Themen für Bachelor-Arbeiten sind in laufende Forschungsprojekte der Arbeitsgruppe eingebunden. Dadurch wird eine umfassende Betreuung sichergestellt.

Durch Anklicken erhalten Sie eine kurze Beschreibung des jeweiligen Themas. Weitere Information erhalten Sie gerne von A. Hangleiter.

BSc-Themen

  1. Epitaktisches Wachstum von III-Nitrid-Heterostrukturen

    1. Wachstum von GaInN/InN und GaInN/GaN Quantenfilmen mittels Molekularstrahl-Epitaxie

    2. Analyse von In-situ-Reflektometrie beim MBE-Wachstum

  2. Optische Eigenschaften von Gruppe-III-Nitriden

    1. Photolumineszenz-Anregungsspektroskopie an GaInN-Quantenfilmen

    2. Modellierung und experimentelle Verifikation unterschiedlicher Potentialprofile in GaInN/GaN-Quantenfilmen

    3. Ellipsometrie an dünnen InN, InGaN und InAlN Schichten

  3. Elektrische Eigenschaften von Gruppe-III-Nitriden

    1. Hall-Messungen an p-GaN und p-AlGaN bei hoher Temperatur


MSc-Themen


  1. Zeitaufgelöste Spektroskopie zur Rekombination über Defekte in Nitrid-Quantenfilmen

  2. In-situ-Photolumineszenz nach dem MBE-Wachstum von Quantenfilmen

  3. Ultraviolett-Photolumineszenz von GaN/AlN-Quantenpunkten

  4. Polarisationsanisotropie in semipolaren GaInN-Quantenfilmen



A. Hangleiter, November 2012
a.hangleiter@tu-bs.de