Nichtstrahlende Rekombination in UV-emittierenden Quantenfilmen
 


Während Quantenfilme auf der Basis von GaInN/GaN trotz der hohen Defektdichte in heteroepitaktischen Schichten für LED's eine hohe Quantenausbeute zeigen, sind In-freie Quantenfilme auf GaN/AlGaN-Basis bisher weit weniger hell. Mit Hilfe von spektroskopischer Nahfeldmikroskopie, zeitaufgelöster Spektroskopie, sowie Quantenausbeute-Messungen sollen die mikroskopischen optischen Eigenschaften und die Auswirkungen von Defekten auf die Rekombinationseigenschaften von UV-emittierenden GaN/AlGaN-Quantenfilmen untersucht werden. Besonders die mögliche Rolle von V-Defekten, die bei GaInN/GaN-Strukturen eine zentrale Rolle spielen, steht im Mittelpunkt des Interesses.  Das daraus resultierende bessere Verständnis soll als Basis für die Optimierung der Strukturen dienen.

Gefördert durch die Deutsche Forschungsgemeinschaft.

Ansprechpartner: Dipl.-Phys. Peter Clodius, Prof. Dr. A. Hangleiter

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